→ → В пзу хранятся. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)

В пзу хранятся. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)

План земельного участка в законодательстве именуется СПОЗУ – схема планировочной организации земельного участка . ПЗУ (СПОЗУ) – документ, который вместе с заявлением о получении разрешения на строительство необходимо предоставить собственнику или арендатору этого участка для того, чтобы начать проектирование и проводить дальнейшие строительные работы. ПЗУ предоставляется в настоящее время вместо генерального плана застройки земельного участка, который требовался ранее (http://ppt.ru/kodeks.phtml?kodeks=5&paper=51).

Требования к составлению ПЗУ

Выполняется ПЗУ по данным топографической съемки, где указываются расположение границ земельного участка и основные данные по проектируемым и существующим на момент составления плана объекты. Кроме того, на схеме в обязательном порядке обозначаются следующее:

  • Проектируемые объекты
  • Существующие капитальные постройки
  • Подъезды и подходы к объектам
  • Подземные коммуникации

Проектируемые объекты привязываются к уже существующим на участке с соблюдением расстояний, предусмотренных требованиями санитарных и противопожарных норм. Схема не должна входить в противоречие с общим градостроительным планом участка и прочими регулирующими документами.

На основании положений, определенных в Постановлении правительства РФ № 87 от 16.02.2008 г. (http://base.consultant.ru/cons/cgi/online.cgi?req=doc;base=LAW раздел 2 в ред. от 13.04.2010 г.) СПОЗУ должна включать набор обязательных элементов:

  • номер ГПЗУ,
  • площадь участка,
  • расчет процента застройки,
  • показатели строения – состав, общая площадь, этажность и высота,
  • характеристика ограждения участка,
  • и условные обозначения, использованные при составлении схемы (легенда).

План земельного участка для индивидуального жилищного строительства состоит из графической и текстовой частей. В текстовой части отражается следующая информация:

  • Описание участка, предназначенного для строительства и показатели капитальных объектов;
  • обоснование санитарных разрывов в привязке к границам земельного участка и существующим и планируемым объектам;
  • соответствие плана организации участка существующим регламентам или заменяющим их документам об его использовании;
  • примерный порядок благоустройства.

Графическая часть ПЗУ выполняется в произвольной форме, без учета особых чертежных требований, но в обязательном порядке отображает:

  • размещение существующих объектов и предполагаемых к строительству объектов с проходами и подъездами;
  • зоны действия публичных сервитутов, если таковые имеются;
  • расположение санитарных разрывов и охранных зон;
  • зоны участка и прилегающей территории, подлежащие благоустройству.

При составлении плана земельного участка в графической части не требуется указывать следующие элементы – ливневые стоки, разрезы строения, схемы фасадов и въезды на участок. Следует учитывать, что при предоставлении ПЗУ могут возникнуть дополнительные требования к нему, зависящие от местных ситуационных обстоятельств. Однако никакие дополнительные требования не могут выходить за рамки, определенные в ч. 5-11, ст. 51 Градостроительного

Типы ПЗУ

ПЗУ – расшифровывается как постоянное запоминающее устройство, обеспечивающее энергонезависимое хранение информации на каком-либо физическом носителе. По способу хранения информации ПЗУ можно разделить на три типа:

1. ПЗУ, основанные на магнитном принципе хранения информации.

Принцип работы этих устройств основан на изменении направления вектора намагниченности участков ферромагнетика под воздействием переменного магнитного поля в соответствии со значениями битов записываемой информации.

Ферромагнетик – вещество, способное при температуре ниже определенного порога (точки Кюри) обладать намагниченностью при отсутствии внешнего магнитного поля.

Считывание записываемых данных в таких устройствах основано на эффекте электромагнитной индукции или магниторезистивного эффекта. Этот принцип реализуется в устройствах с подвижным носителем в виде диска или ленты.

Электромагнитной индукцией называется эффект возникновения электрического тока в замкнутом контуре при изменении магнитного потока проходящего через него.

Магниторезистивный эффект основан на изменении электрического сопротивления твердотельного проводника под действием внешнего магнитного поля.

Основное преимущество данного типа – большой объем хранимой информации и низкая стоимость единицы хранимой информации. Основной недостаток – наличие подвижных частей, большие габариты, низкая надежность и чувствительность к внешним воздействиям (вибрация, удары, перемещения и т.д.)

2. ПЗУ, основанные на оптическом принципе хранения информации.

Принцип работы этих устройств основан на изменении оптических свойств участка носителя, например, за счет изменения степени прозрачности или коэффициента отражения. Примером ПЗУ, основанном на оптическом принципе хранения информации, могут служит CD -, DVD-, BluRay - диски.

Основное достоинство данного типа ПЗУ – низкая стоимость носителя, удобство транспортирования и возможность тиражирования. Недостатки – низкая скорость чтения/записи, ограниченное количество перезаписей, потребность в считывающем устройстве.

3. ПЗУ, основанные на электрическом принципе хранения информации.

Принцип работы этих устройств основан на пороговых эффектах в полупроводниковых структурах – возможности хранения и регистрации наличия заряда в изолированной области.

Этот принцип используется в твердотельной памяти – памяти, не требующей использование подвижных частей для чтения/записи данных. Примером ПЗУ, основанном на электрическом принципе хранения информации, может служить flash – память.

Основное достоинство данного типа ПЗУ – высокая скорость чтения/записи, компактность, надежность, экономичность. Недостатки – ограниченное число перезаписи.

На данный момент существуют или находятся на этапе разработки и другие, «экзотические» типы постоянной памяти, такие как:

Магнитно-оптическая память – память, сочетающая свойства оптических и магнитных накопителей. Запись на такой диск осуществляется путем нагрева ячейки лазером до температуры около 200 о С. Разогретая ячейка теряет магнитный заряд. Далее ячейку можно остудить, что будет означать, что в ячейку записан логический ноль, либо зарядить заново магнитной головкой, что будет означать, что в ячейку записана логическая единица.

После охлаждения магнитный заряд ячейки изменить нельзя. Считывание производится лазерным лучом меньшей интенсивности. Если в ячейки содержится магнитный заряд, то лазерный луч поляризуется, а считывающее устройство определяет, является ли лазерный луч поляризованным. За счет «закрепления» магнитного заряда при охлаждении магнитно-оптические обладают высокой надежностью хранения информации и теоретически могут иметь плотность записи большую, чем ПЗУ основанное только на магнитном принципе хранения информации. Однако заменить «жесткие» диски они не могут из-за очень низкой скорости записи, обусловленную необходимостью высокого нагрева ячеек.

Широкого распространения магнитно-оптическая память не получила и используется очень редко.

Молекулярная память – память, основанная на технологии атомной туннельной микроскопии, позволяющей изымать или добавлять в молекулы отдельные атомы, наличие которых затем может считываться специальными чувствительными головками. Данная технология была представлена в середине 1999 года компанией Nanochip, и теоретически позволяла достичь плотности упаковки около 40 Гбит/см 2 , что в десятки раз превосходит существующие серийные образцы «Жестких» дисков, однако слишком низкая скорость записи и надёжность технологии не позволяет говорить о практическом использовании молекулярной памяти в обозримом будущем.

Голографическая память – отличается от существующих наиболее распространенных типов постоянной памяти, использующих для записи один или два поверхностных слоя, возможностью записывать данных по «всему» объему памяти с помощью различных углов наклона лазера. Наиболее вероятно применение такого типа памяти в ПЗУ на базе оптического хранения информации, где уже не в новинку оптические диски с несколькими информационными слоями.

Существуют и другие, совсем уж экзотические типы постоянной памяти, но они даже в лабораторных условиях балансируют на грани научной фантастики, поэтому упоминать о них не буду, поживем – увидим.


ПЗУ - быстрая, энергонезависимая память, которая, предназначенная только для чтения. Информация заносится в нее один раз (обычно в заводских условиях) и сохраняется постоянно (при включенном и выключенном компьютере). В ПЗУ хранится информация, присутствие которой постоянно необходимо в компьютере. Комплект программ, находящийся в ПЗУ образовывает базовую систему ввода/вывода BIOS (Basic Input Output System). BIOS (Basic Input Output System - базовая система ввода-вывода) - совокупность программ, предназначенных для автоматического тестирования устройств после включения питания компьютера и загрузки операционной системы в оперативную память.

В ПЗУ находятся:

Тестовые программы, проверяющие при каждом включении компьютера правильность работы его блоков;

Программы для управления основными периферийными устройствами - дисководом, монитором, клавиатурой;

Информация о том, где на диске расположена операционная система.

Типы ПЗУ:

ПЗУ с масочным программированием это память, в которую информация записана раз и навсегда в процессе изготовления полупроводниковых интегральных схем. Постоянные запоминающие устройства применяются только в тех случаях, когда речь идет о массовом производстве, т.к. изготовление масок для интегральных схем частного применения обходится весьма недешево.

ППЗУ (программируемое постоянное запоминающее устройство).

Программирование ПЗУ – это однократно выполняемая операция, т.е. информация, когда-то записанная в ППЗУ, впоследствии изменена быть не может.

СППЗУ (стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство). При работе с ним, пользователь может запрограммировать его, а затем стереть записанную информацию.

ЭИПЗУ (электрически изменяемое постоянное запоминающее устройство). Его программирование и изменение осуществляются с помощью электрических средств. В отличии от СППЗУ для стирания информации, хранимой в ЭИПЗУ, не требуется специальных внешних устройств.

Наглядно ОЗУ и ПЗУ можно представить себе в виде массива ячеек, в которые записаны отдельные байты информации. Каждая ячейка имеет свой номер, причем нумерация начинается с нуля. Номер ячейки является адресом байта.

Центральный процессор при работе с ОЗУ должен указать адрес байта, который он желает прочитать из памяти или записать в память. Разумеется, из ПЗУ можно только читать данные. Прочитанные из ОЗУ или ПЗУ данные процессор записывает в свою внутреннюю память, устроенную аналогично ОЗУ, но работающую значительно быстрее и имеющую емкость не более десятков байт.

Процессор может обрабатывать только те данные, которые находятся в его внутренней памяти, в ОЗУ или в ПЗУ. Все эти виды устройства памяти называются устройствами внутренней памяти, они обычно располагаются непосредственно на материнской плате компьютера (внутренняя память процессора находится в самом процессоре).


Кэш-память. Обмен данными внутри процессора происходит намного быстрее, чем обмен данными между процессором и оперативной памятью. Поэтому, для того чтобы уменьшить количество обращений к оперативной памяти, внутри процессора создают так называемую сверхоперативную или кэш-память. Когда процессору нужны данные, он сначала обращается к кэш-памяти, и только тогда, когда там отсутствуют нужные данные, происходит обращение к оперативной памяти. Чем больше размер кэш-памяти, тем большая вероятность, что необходимые данные находятся там. Поэтому высокопроизводительные процессоры имеют повышенные объемы кэш-памяти.

Различают кэш-память первого уровня (выполняется на одном кристалле с процессором и имеет объем порядка несколько десятков Кбайт), второго уровня (выполняется на отдельном кристалле, но в границах процессора, с объемом в сто и более Кбайт) и третьего уровня (выполняется на отдельных быстродействующих микросхемах с расположением на материнской плате и имеет объем один и больше Мбайт).

В процессе работы процессор обрабатывает данные, находящиеся в его регистрах, оперативной памяти и внешних портах процессора. Часть данных интерпретируется как собственно данные, часть данных - как адресные данные, а часть - как команды. Совокупность разнообразных команд, которые может выполнить процессор над данными, образовывает систему команд процессора. Чем больше набор команд процессора, тем сложнее его архитектура, тем длиннее запись команд в байтах и тем дольше средняя продолжительность выполнения команд.

Пример раздела проекта ПЗУ - планировочной организации земельного участка для многоквартирного жилого дома.

Схема планировочной организации земельного участка Раздел ПЗУ.

ПЕРЕЧЕНЬ ЧЕРТЕЖЕЙ РАЗДЕЛА ПЗУ

1. ПЗУ-1 Ситуационный план. М1:5000;

2. ПЗУ-2 Схема планировочной организации земельного участка. М1:500;

3. ПЗУ-3 Планово-высотные привязки жилых домов. М1:500;

4. ПЗУ-4 План организации рельефа. М1:500;

5. ПЗУ-5 План земляных масс. М1:500;

6. ПЗУ-6 План благоустройства территории. М1:500.

Пояснительная записка раздел пзу жилой многоквартирный

1.1 Характеристика земельного участка.

Площадка строительства расположена по адресу: г.Ульяновск, Засвияжский район, 5 квартал жилого микрорайона Запад-1 комплекса «Симбирское кольцо» и ограничена:

С запада - территорией детского сада и шоссе А-151 с выездом на Московское шоссе,

С востока - жилыми домами на этапе строительства и ул. Генерала Мельникова,

С юга - жилой застройкой и Александровским парком.

На площадке строительства имеются сооружения ТП и РП, сохраняемых на начало строительства. Инженерные коммуникации выносятся.

Рельеф площадки в основном ровный с перепадом отметок 111.30-110.00 м.абс. Топографический план масштаба 1:500 выполнен ООО «Советникъ» в 2014 году.

Согласно инженерно-геологическим изысканиям, выполненным в 2013г. ЗАО «УльяновскТИСИЗ», площадка с поверхности имеет непригодный слой почвенно-растительного грунта мощностью 0.4м, подлежащего срезки и дальнейшему использованию для устройства проектируемых участков газонов, далее представлены суглинки твердые, туго- и мягкопластичные мощностью 2.0-4.2м. Далее по разрезу залегают пески различной крупности.

Грунтовые воды вскрыты на глубине от 6,5 до 7.2м от поверхности земли, на абсолютных отметках 102.85-104.2м.

1.2 Обоснование границ санитарно-защитных зон.

Проектируемые жилые дома размещены в жилой застройке, складские и промышленные объекты в радиусе до 500м отсутствуют.

1.3 Обоснование планировочной организации земельного участка.

Проектируемые жилые дома номер 24 и 25 9-ти этажной застройки (на 3 и 7 подъездов) ориентированы фасадами с северо-восточной стороны границы участка - на ул.Камышинскую, с юго-западной - на проезд без названия, а на дворовой территории расположены трансформаторная подстанция, газoрегуляторная подстанция (существующие), площадки отдыха для детей и взрослых, площадка для занятий физкультурой.

1.4 Инженерная подготовка территории.

Основным мероприятием по инженерной подготовке территории является:

Территория спланирована в отметках, близких к существующим, что обусловлено ранее запроектированными участками жилых домов и детского сада. Имеются выемки от 0.10 до 0.50м.

В соответствии с Заключением об инженерно-экологических изысканиях, выполненных ООО «Симбирскизыскания» 2012г. исследованные пробы почвы на проектируемой площадке в части санитарно-эпидемиологических требований к качеству почвы относятся к категории «Чистая».

1.5 Организация рельефа.

Вертикальная планировка территории решена в основном в небольших насыпях высотой 0.1-0.5м, и выемках до 0.5м (насыпной грунт).

Основные земляные работы на площадке:

  • устройство корыта под автопроезды, тротуары, озеленение,
  • разработка выемок,
  • устройство насыпи.

При этом для организации насыпи проектом намечается использование грунта из выемок, из корыта автопроездов, тротуаров и озеленения с перемещением в насыпь с коэффициентом уплотнения до 0.95м, а под проездами с асфальтобетонным покрытием - с коэффициентом уплотнения 0.98.

Водоотвод на площадке решен посредством ливневой канализации с дождеприемными колодцами.

1.6 Благоустройство площадки и автопроезды.

Автопроезды на площадке размещены с учетом требований «Федерального закона. Технический регламент о требованиях пожарной безопасности» статья 67 п.п. 24 и 25 на расстоянии 8м от здания и шириной не менее 6.0м.

Автопроезды запроектированы городского профиля с бордюрными камнями, ширина проезжей части от 6м до 7м. Тротуары предусмотрены шириной 1.5-3.0м. Конструкции автопроездов и тротуаров проектируются с асфальтобетонным покрытием и приведены на чертеже «План благоустройства территории».

Вся свободная от застройки и транспортных коммуникаций территория полностью озеленяется с организацией газонов и посадкой кустарника в группы.

Проектом благоустройства территории предусмотрено также строительство площадок отдыха в требуемом (расчетном) объеме: для взрослого населения 100м2 и «для игр детей» -400м2, площадка для занятий физкультурой - 1100м2, площадка для выгула собак - в условной границе соседнего дома. Для спортивных занятий проектом предусматривается устройство площадки для мини-футбола с покрытием из неводостойкой спецсмеси. В соответствии со СНИП 2.07.01-89* минимальная площадь площадок отдыха составляет:

Площадка для отдыха взрослого населения

1035х0.1=104м2

Площадка для игр детей

1035х0.4=414м2

Площадка для занятий физкультурой

1035х0.5=517м2

Где 1035 - численность населения в жилых домах 24,25,

0.1;0.4 - нормативные показатели на 1 жителя.

Хозяйственная площадка (для мусоросборника) размещена между домами с наружной стороны по периметру проектируемого участка, с учетом санитарного разрыва в 15м от окон жилых домов и от площадок отдыха.

1.8 Транспорт.

Подъезд автомобильного транспорта на площадку проектирования предусматривается с ул. Камышинской. Ширина проезжей части от 6м до 7м.

На дворовой и по периметру площадки проектом предусматривается строительство открытых стоянок автомашин с асфальтобетонным покрытием, общих для всех 4-х домов. Общее кол-во составляет 180 м/мест.

Минимальное количество машиномест на стоянке рассчитано по СНиП 2.07.01-89*:

N = (1035x350/1000) = 362м/мест, где

N- количество машиномест;

1035 - численность жильцов домов 24-25;

350- уровень автомобилизации на 1000 жителей;

Таким образом, на площадке обеспечено требуемое временное хранение 25% ед. автомобилей, т.е 91ед., также возможность хранения личного транспорта жильцам домов обеспечена в сущ. гаражах удаленностью до 800м.

Для парковки транспорта маломобильных групп населения проектом намечается организация 2-х машиномест на дворовой территории.

Очень часто в различных применениях требуется хранение информации, которая не изменяется в процессе эксплуатации устройства. Это такая информация как программы в микроконтроллерах, начальные загрузчики (BIOS) в компьютерах, таблицы коэффициентов цифровых фильтров в сигнальных процессорах, DDC и DUC, таблицы синусов и косинусов в NCO и DDS. Практически всегда эта информация не требуется одновременно, поэтому простейшие устройства для запоминания постоянной информации (ПЗУ) можно построить на мультиплексорах. Иногда в переводной литературе постоянные запоминающие устройства называются ROM (read only memory – память доступная только для чтения). Схема такого постоянного запоминающего устройства (ПЗУ) приведена на рисунке 3.1.

Рисунок 3.1. Схема постоянного запоминающего устройства (ПЗУ), построенная на мультиплексоре.

В этой схеме построено постоянное запоминающее устройство на восемь одноразрядных ячеек. Запоминание конкретного бита в одноразрядную ячейку производится запайкой провода к источнику питания (запись единицы) или запайкой провода к корпусу (запись нуля). На принципиальных схемах такое устройство обозначается как показано на рисунке 3.2.

Рисунок 3.2. Обозначение постоянного запоминающего устройства на принципиальных схемах.

Для того, чтобы увеличить разрядность ячейки памяти ПЗУ эти микросхемы можно соединять параллельно (выходы и записанная информация естественно остаются независимыми). Схема параллельного соединения одноразрядных ПЗУ приведена на рисунке 3.3.

Рисунок 3.3 Схема многоразрядного ПЗУ (ROM).

В реальных ПЗУ запись информации производится при помощи последней операции производства микросхемы - металлизации. Металлизация производится при помощи маски, поэтому такие ПЗУ получили название масочных ПЗУ. Еще одно отличие реальных микросхем от упрощенной модели, приведенной выше - это использование кроме мультиплексора еще и демультиплексора. Такое решение позволяет превратить одномерную запоминающую структуру в двухмерную и, тем самым, существенно сократить объем схемы дешифратора, необходимого для работы схемы ПЗУ. Эта ситуация иллюстрируется следующим рисунком:



Рисунок 3.4. Схема масочного постоянного запоминающего устройства (ROM).

Масочные ПЗУ изображаются на принципиальных схемах как показано на рисунке 3.5. Адреса ячеек памяти в этой микросхеме подаются на выводы A0 ... A9. Микросхема выбирается сигналом CS. При помощи этого сигнала можно наращивать объем ПЗУ (пример использования сигнала CS приведён при обсуждении ОЗУ). Чтение микросхемы производится сигналом RD.

Рисунок 3.5. Условно-графическое обозначение масочного ПЗУ (ROM) на принципиальных схемах.

Программирование масочного ПЗУ производится на заводе изготовителе, что очень неудобно для мелких и средних серий производства, не говоря уже о стадии разработки устройства. Естественно, что для крупносерийного производства масочные ПЗУ являются самым дешевым видом ПЗУ, и поэтому широко применяются в настоящее время. Для мелких и средних серий производства радиоаппаратуры были разработаны микросхемы, которые можно программировать в специальных устройствах - программаторах. В этих ПЗУ постоянное соединение проводников в запоминающей матрице заменяется плавкими перемычками, изготовленными из поликристаллического кремния. При производстве ПЗУ изготавливаются все перемычки, что эквивалентно записи во все ячейки памяти ПЗУ логических единиц. В процессе программирования ПЗУ на выводы питания и выходы микросхемы подаётся повышенное питание. При этом, если на выход ПЗУ подаётся напряжение питания (логическая единица), то через перемычку ток протекать не будет и перемычка останется неповрежденной. Если же на выход ПЗУ подать низкий уровень напряжения (присоединить к корпусу), то через перемычку запоминающей матрицы будет протекать ток, который испарит ее и при последующем считывании информации из этой ячейки ПЗУ будет считываться логический ноль.

Такие микросхемы называются программируемыми ПЗУ (ППЗУ) или PROM и изображаются на принципиальных схемах как показано на рисунке3.6. В качестве примера ППЗУ можно назвать микросхемы 155РЕ3, 556РТ4, 556РТ8 и другие.

Рисунок 3.6. Условно-графическое обозначение программируемого постоянного запоминающего устройства (PROM) на принципиальных схемах.

Программируемые ПЗУ оказались очень удобны при мелкосерийном и среднесерийном производстве. Однако при разработке радиоэлектронных устройств часто приходится менять записываемую в ПЗУ программу. ППЗУ при этом невозможно использовать повторно, поэтому раз записанное ПЗУ при ошибочной или промежуточной программе приходится выкидывать, что естественно повышает стоимость разработки аппаратуры. Для устранения этого недостатка был разработан еще один вид ПЗУ, который мог бы стираться и программироваться заново.

ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием строится на основе запоминающей матрицы построенной на ячейках памяти, внутреннее устройство которой приведено на следующем рисунке:

Рисунок 3.7. Запоминающая ячейка ПЗУ с ультрафиолетовым и электрическим стиранием.

Ячейка представляет собой МОП транзистор, в котором затвор выполняется из поликристаллического кремния. Затем в процессе изготовления микросхемы этот затвор окисляется и в результате он будет окружен оксидом кремния - диэлектриком с прекрасными изолирующими свойствами. В описанной ячейке при полностью стертом ПЗУ, заряда в плавающем затворе нет, и поэтому транзистор ток не проводит. При программировании ПЗУ, на второй затвор, находящийся над плавающим затвором, подаётся высокое напряжение и в плавающий затвор за счет туннельного эффекта индуцируются заряды. После снятия программирующего напряжения индуцированный заряд остаётся на плавающем затворе, и, следовательно, транзистор остаётся в проводящем состоянии. Заряд на плавающем затворе подобной ячейки может храниться десятки лет.

Структурная схема описанного постоянного запоминающего устройства не отличается от описанного ранее масочного ПЗУ. Единственное отличие – вместо плавкой перемычки используется описанная выше ячейка. Такой вид ПЗУ называется репрограммируемыми постоянными запоминающими устройствами (РПЗУ) или EPROM. В РПЗУ стирание ранее записанной информации осуществляется ультрафиолетовым излучением. Для того, чтобы этот свет мог беспрепятственно проходить к полупроводниковому кристаллу, в корпус микросхемы ПЗУ встраивается окошко из кварцевого стекла.

При облучении микросхемы РПЗУ, изолирующие свойства оксида кремния теряются, накопленный заряд из плавающего затвора стекает в объем полупроводника, и транзистор запоминающей ячейки переходит в закрытое состояние. Время стирания микросхемы РПЗУ колеблется в пределах 10 - 30 минут.

Количество циклов записи – стирания микросхем EPROM находится в диапазоне от 10 до 100 раз, после чего микросхема РПЗУ выходит из строя. Это связано с разрушающим воздействием ультрафиолетового излучения на оксид кремния. В качестве примера микросхем EPROM можно назвать микросхемы 573 серии российского производства, микросхемы серий 27сXXX зарубежного производства. В РПЗУ чаще всего хранятся программы BIOS универсальных компьютеров. РПЗУ изображаются на принципиальных схемах как показано на рисунке 3.8.

Рисунок 3.8. Условно-графическое обозначение РПЗУ (EPROM) на принципиальных схемах.

Так как корпуса с кварцевым окошком очень дороги, а также малое количество циклов записи - стирания привели к поиску способов стирания информации из РПЗУ электрическим способом. На этом пути встретилось много трудностей, которые к настоящему времени практически решены. Сейчас достаточно широко распространены микросхемы с электрическим стиранием информации. В качестве запоминающей ячейки в них используются такие же ячейки как и в РПЗУ, но они стираются электрическим потенциалом, поэтому количество циклов записи - стирания для этих микросхем достигает 1000000 раз. Время стирания ячейки памяти в таких ПЗУ уменьшается до 10 мс. Схема управления для электрически стираемых программируемых ПЗУ получилась сложная, поэтому наметилось два направления развития этих микросхем:

1. ЕСППЗУ (EEPROM) - электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство

Электрически стираемые ППЗУ (EEPROM) дороже и меньше по объему, но зато позволяют перезаписывать каждую ячейку памяти отдельно. В результате эти микросхемы обладают максимальным количеством циклов записи - стирания. Область применения электрически стираемых ПЗУ - хранение данных, которые не должны стираться при выключении питания. К таким микросхемам относятся отечественные микросхемы 573РР3, 558РР3 и зарубежные микросхемы EEPROM серии 28cXX. Электрически стираемые ПЗУ обозначаются на принципиальных схемах как показано на рисунке 3.9.

Рисунок 9. Условно-графическое обозначение электрически стираемого постоянного запоминающего устройства (EEPROM) на принципиальных схемах.

В последнее время наметилась тенденция уменьшения габаритов ЭСППЗУ за счет уменьшения количества внешних выводов микросхем. Для этого адрес и данные передаются в микросхему и из микросхемы через последовательный порт. При этом используются два вида последовательных портов - SPI порт и I2C порт (микросхемы 93сXX и 24cXX серий соответственно). Зарубежной серии 24cXX соответствует отечественная серия микросхем 558РРX.

FLASH - ПЗУ отличаются от ЭСППЗУ тем, что стирание производится не каждой ячейки отдельно, а всей микросхемы в целом или блока запоминающей матрицы этой микросхемы, как это делалось в РПЗУ.

Рисунок 3.10. Условно-графическое обозначение FLASH памяти на принципиальных схемах.

При обращении к постоянному запоминающему устройству сначала необходимо выставить адрес ячейки памяти на шине адреса, а затем произвести операцию чтения из микросхемы. Эта временная диаграмма приведена на рисунке 3.11.


Рисунок 3.11. Временные диаграммы сигналов чтения информации из ПЗУ.

На рисунке 3.11 стрелочками показана последовательность, в которой должны формироваться управляющие сигналы. На этом рисунке RD - это сигнал чтения, A - сигналы выбора адреса ячейки (так как отдельные биты в шине адреса могут принимать разные значения, то показаны пути перехода как в единичное, так и в нулевое состояние), D - выходная информация, считанная из выбранной ячейки ПЗУ.

4. Выполните операцию сложения в дополнительном коде, представив приведенные слагаемые в двоичном виде:

1) + 45 2) - 45

- 20 + 20

Решение:

1) х 1 = 45 = 0,101101 пр

х 2 = - 20 = 1,010100 пр = 1,101011 обр = 1,101100 доп

+ 1,101100

Ответ: 0,011001 пр = 25 10

2) х 1 = - 45 =1,101101 пр

х 2 = 20 = 0,010100 пр

+ 0,010100

Ответ: 1,100111 доп = 1,011000 обр = 1,011001 пр = - 25 10

Вопрос № 5.

Выполните следующие задания:

1) запишите логическую функцию в СНДФ;

2) минимизируйте логическую функцию с помощью карт Карно;

 

 
Это интересно: